添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷微波介电性能的影响

作者：王奇峰; 李谦^*; 顾永军; 高顺; 李丽华; 黄金亮

来源：河南科技大学学报(自然科学版), 2021, 42(05): 14-5.

DOI：10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2021.05.003

• Zr0.8Sn0.2TiO4
• 微波介质陶瓷
• 介电性能
• 掺杂

针对Zr0.8Sn0.2TiO4微波介质陶瓷烧结温度高和介质损耗大等问题,以ZnO、NiO、La2O3和Nb2O5为添加剂,在同一试验条件下,制备了复合方式不同的Zr0.8Sn0.2TiO4,并对其物相组成、烧结行为、微观形貌和微波介电性能等进行了研究。研究结果表明:当添加w(ZnO)=1%,w(NiO)=0.2%,w(Nb2O5)=1%并经1 350℃烧结3 h,可获得微波介电性能优异的Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷(相对介电常数εr=38,品质因数Qf=45 898 GHz,谐振频率温度系数τf=-2.2×10-6℃-1),此时其相对密度为98.6%。与无添加剂的Zr0.8Sn0.2TiO4相比,烧结温度明显降低,Qf值得到显著提升。ZnO与NiO可以降低Zr0.8Sn0.2TiO4的烧结温度,NiO和Nb2O5可以增大Qf值。

• 单位
  河南科技大学