新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究

作者：叶毅; 张金平; 罗小蓉; 张波; 李肇基; 蒋辉

来源：微电子学, 2008, (04): 457-460+464.

• 4H-SiC
• 肖特基二极管
• 降低表面电场
• 击穿电压 4H-SiC
• Schottky barrier diode
• RESURF
• Breakdown voltage

提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行优化。结果表明,新结构较之常规单RESURF结构,击穿电压从890 V提高到1672 V,导通电流为80 mA/mm时,压降从4.4 V降低到2.8 V。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室