助熔剂法生长的AgNbO_(3)晶体相转变特征、电学和光学性能

作者：牛佳林; 董思远; 魏永星^*; 靳长清; 南瑞华; 杨斌

来源：Acta Physica Sinica, 2023, 1-19.

• AgNbO_(3)单晶
• 助溶剂法
• 相转变特征

AgNbO3具有反铁电性及高的极化强度，在智能器件领域有着重要的应用前景。本论文采用助溶剂法合成了高质量的AgNbO3单晶(最大尺寸(5×4×4)mm3)，系统研究了其相转变特征、光学和电学性能。当AgNbO3晶体处于正交M相时，保持着相同的畴结构；由M2相转变至M3相时，偏光显微镜(PLM)照片衬度变暗，同时电导率和介电损耗明显上升。当AgNbO3单晶由M3相到顺电O相时，畴结构消失；同时，表现出明显的热滞后现象，属于第一类相变。室温下，AgNbO3单晶的直接带隙拟合禁带宽度为2.73 eV，略窄于AgNbO3陶瓷。在临界电场以下，AgNbO3单晶表现出更高的电致应变(0.076%，Em = 130 kV/cm)。在绿色激光照射下，介电常数由70增加到73，表现出明显的光致介电效应。

• 单位
  西安工业大学; 材料与化工学院; 科学技术部高技术研究发展中心