光固化后用气压烧结Si3N4陶瓷的显微组织和力学性能影响

作者：文如泉; 李德智; 占丽娜; 刘耀^*; 胡文; 廖建波; 刘绍军

来源：中国陶瓷, 2020, 56(12): 23-28.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2020.12.004

• Si3N4陶瓷
• 光固化
• 气压烧结
• 显微组织
• 力学性能

选用CeO2和Yb2O3两种不同的烧结助剂,用光固化后气压烧结制备了高致密的Si3N4陶瓷材料。在相同的烧结温度下,用CeO2烧结试样中的β-Si3N4的晶粒尺寸比用Yb2O3为烧结助剂制备的试样的晶粒尺寸要大。其中:在1750℃,10 MPa条件下制备出了致密度到>95.8%Si3N4基陶瓷,力学性能分别为:σmax=715.83±15.26 MPa、HV=14.16±0.43 MPa、KIC=8.03 MPa·m1/2。

• 单位
  电子工程学院; 中南大学; 萍乡学院