Si基Cu/NiFe薄膜的生长及其粘附特性研究

作者：张涛; 吴一辉; 张平; 王淑荣

来源：传感技术学报, 2006, (05): 1444-1447.

• Si基
• Cu/NiFe膜
• 粘附特性
• 剥离实验
• 残余应力 silicon substrates
• Cu/NiFe films
• adhesion properties
• peel test
• residual stress

微机械(MEMS)工艺和集成电路(IC)工艺中,在硅(Si)片上电铸高深宽比坡莫(NiFe)合金材料常出现脱落现象.提出了一种电铸NiFe合金材料的新方法,这种方法制作的合金薄膜厚度达200μm时不脱落.此方法即对等离子刻蚀后的硅片溅射种子层铜(Cu),然后对种子层进行电镀,当其厚度达到约15μm时,再进行NiFe合金的电铸.本文用扫描电镜、x射线衍射仪和剥离实验研究了薄膜粘附特性.研究结果表明当对种子层电镀后,随着Cu种子层厚度的增加,Cu/NiFe薄膜与基体的粘附强度增加,而薄膜的残余应力降低;同时Cu膜表面粗糙度增加,也增加了NiFe膜与Cu膜的粘附强度.

• 单位
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 应用光学国家重点实验室; 中国科学院研究生院