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摘要
本发明提出了一种基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法,实现步骤为：生成底电极；基于物理气相沉积和直流偏压在底电极上沉积氧化物功能层；获取制备结果。本发明通过设置放置衬底的载物台所加载的直流偏压的压值,并采用物理气相沉积在底电极上形成氧化物功能层,能够提高底电极表面金属氧化物中金属元素与氧元素的比例,在保证功能层内具有较高的氧空位缺陷浓度的前提下,避免了现有技术功能层的金属氧化物中包含的掺杂成分在高温处理过程中所存在的扩散问题而使忆阻器特性退化的缺陷,一方面能够实现与CMOS集成电路制造工序中的后端高温处理工艺较好的兼容,同时能够提升CMOS集成电路的性能。
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