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摘要
本发明公开了一种用于SiC陶瓷连接的复合中间层及钎焊连接方法,属于陶瓷焊接件技术领域。其中,复合中间层由金属Ⅰ、中间金属层、金属Ⅱ依次排列组成；金属Ⅰ和金属Ⅱ均选自钛或钒,金属Ⅰ和金属Ⅱ的厚度均为0.01～0.05mm；中间金属层为NiCoCr中熵合金,厚度为0.1～0.12mm；还公开了复合中间层用于SiC陶瓷连接件的钎焊连接方法。本发明复合中间层的活性金属与反应形成的碳结合,形成碳化物弥散分布于接头中,细化硅化物的尺寸,降低硅化物钎缝的热膨胀系数,同时避免了在SiC的连接界面处石墨的形成,从而提高接头强度。由于接头中不含低熔点相,不存在低强度的石墨,具有较高的高温强度,本发明制作的SiC陶瓷连接件有望用于高温环境。
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