GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）

作者：崔晓然; 吕红亮; 李金伦; 苏向斌; 徐应强; 牛智川^*

来源：红外与毫米波学报, 2018, 37(04): 385-388.

• 二维电子气
• 迁移率
• 高电子迁移率晶体管(HEMT)
• 分子束外延(MBE)

采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.

• 单位
  光子技术研究所; 中国人民解放军陆军工程大学; 西北大学; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学; 西安电子科技大学