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摘要
该研究采用掺杂的方式对SnO2的导电性能进行改良，基于密度泛函理论的第一性原理，运用CASTEP软件对单掺杂Ni-SnO2、S-SnO2和共掺杂Ni-S-SnO2的晶格参数、能带结构、电子态密度进行了计算，并对其电荷布居进行了分析.结果表明：S单掺杂时，晶胞体积略微增大；Ni单掺杂时，晶胞体积略微减小；而Ni-S共掺杂时，晶胞体积略微增大但增大幅度小于S单掺杂时的晶胞体积.与未掺杂相比，掺杂使得晶胞禁带减小、杂质能级增多、电子跃迁能减小，使其导电性增强，同时，掺杂使得费米能级附近峰值减小，局域性下降，原子间成键更强，材料更稳定.
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