激光法制备ZnO半导体膜正交试验探究

作者：闫碧莹; 张艳君

来源：化工设计通讯, 2022, 48(01): 117-122.

• 氧化锌
• 稀磁半导体
• 脉冲激光沉积法

应用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基稀磁半导体薄膜,主要研究各试验条件对薄膜结晶效果的影响,通过正交试验确定最佳试验条件为:衬底温度500℃,氧压0.1Pa,激光能量200mJ/次,为ZnO薄膜的深加工和进一步开发利用奠定基础。

• 单位
  乌海职业技术学院