抗辐照MRAM研究进展

作者：孙杰杰; 王超; 李嘉威; 姜传鹏; 曹凯华^*; 施辉; 张有光; 赵巍胜

来源：国防科技大学学报, 2023, 45(06): 174-195.

• 磁性随机存储器
• 磁隧道结
• 辐照
• 电离总剂量
• 单粒子效应

新型非易失磁性随机存储器(magnetic random access memory, MRAM)具有读写速度快、数据保持时间长、功耗低等优点，引起了研究人员的广泛关注。其优异的抗辐照能力被人们深入挖掘，有望进一步应用于航天等领域。本文回顾了MRAM的产业化发展历程、技术变革及应用情况，列举了近年成熟的MRAM产品，对不同的代际MRAM的优缺点进行了剖析；对MRAM核心存储单元——磁隧道结(magnetic tunnel junction, MTJ)和外围基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)的读写电路的辐射效应分别进行了探讨；总结了近年来MRAM抗辐照加固设计方面的最新成果；对抗辐照MRAM在航空航天领域甚至核能领域的发展前景进行了展望。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所; 电子信息工程学院; 北京航空航天大学