核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础设备。PMOS管已广泛应用于γ射线剂量探测领域,提高厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器的制造合格率、降低生产成本有利于厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器在核技术方面的应用。从芯片制造工艺入手,分析关键指标PMOS管阈值电压的影响因素,采取有效控制措施,使厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器的制造成本降低30%。
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