高驱动电流的隧穿器件设计

作者：陈玉翔

来源：电子产品世界, 2020, 27(06): 50-81.

• 隧穿场效应晶体管
• 带带隧穿
• 异质结
• 开态电流

隧道场效应晶体管(TFET)由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60 mV/dec;而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管,其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限,并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管,用以改善器件导通电流和亚阈值特性,改进后的器件开态电流由36μA/μm增加到92μA/μm,平均亚阈值摆幅从32 mV/dec降低到15 mV/dec。

• 单位
  电子科技大学