“宽禁带半导体变流技术及其应用”专题 特约主编寄语

作者：王议锋; 王懿杰

来源：电气传动, 2023, 53(01): 3.

<正>以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料由于其宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料。随着SiC单晶生长技术、外延材料工艺和GaN异质结外延技术的不断成熟，宽禁带半导体功率器件的研制和应用在近年来得到迅速发展，人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合，

• 单位
  天津大学; 哈尔滨工业大学