一种高精度带隙基准电压源

作者：郭涛

来源：集成电路应用, 2020, 37(02): 22-23.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2020.02.007

• 基准电压源
• 分段线性补偿
• 电源抑制比
• VBE线性补偿

基于华虹0.35μm BCD工艺,采用VBE补偿与分段线性补偿技术,设计了一种高精度带隙基准电压源。仿真结果显示在-40～125 ℃内获得了0.47 ppm/℃的温漂系数,在低频处获得了-58.26 dB的电源抑制比。

• 单位
  重庆邮电大学