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摘要
本发明涉及一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法,包括如下步骤：步骤1、在硅晶片上进行刻孔；步骤2、在刻孔的内壁上沉积绝缘层；步骤3、在刻孔的内壁的绝缘层上沉积阻挡层；步骤4、在刻孔的内壁的阻挡层上沉积种子层；步骤5、在硅晶片上表面沉积介质层；步骤6、在介质层上刻蚀RDL线槽；步骤7、分别在RDL线槽和刻孔内电镀填充金属；步骤8、减薄硅晶片。该TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法,将通孔填充与RDL布线同时进行,使通孔填充与RDL布线接触更加的良好,节省了制备时间以及制备难度。
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