氧流量对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响

作者：王贺权; 沈辉; 巴德纯; 汪保卫; 闻立时

来源：中山大学学报(自然科学版), 2005, (06): 36-40.

• 二氧化钛薄膜
• 直流反应磁控溅射
• 氧流量
• 反射率 TiO_2 thin film
• DC reactive magnetron sputtering
• oxygen flow
• reflectance

应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制氧流量改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200分析器测量,当氧流量增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向中心波长(550 nm)处移动,薄膜的消光系数k有增大的趋势,但对薄膜的折射率影响不大。通过XRD和SEM表征发现,随着氧流量的增加金红石相的TiO2增多,并且表面趋于致密平滑。

• 单位
  自动化学院; 中国科学院广州能源研究所; 东北大学; 辽宁沈阳; 中山大学; 沈阳航空工业学院