基于三环非经典噻吩的低能带隙低聚物的分子设计及DFT研究

作者：傅杨武

来源：计算机与应用化学, 2013, (02): 137-140.

• 三环非经典噻吩
• 低聚物
• 分子设计
• 电子性质 tricyclic nonclassical thiophenes
• oligomer
• molecular design
• electronic properties

以[1,2,5]噻重氮并[3,4-b]噻吩并[3,4-e]吡嗪(TTP)为受体,以噻吩并[3,2-b]噻吩(TT)、噻吩(Th)、吡咯(Py)和呋喃(Fu)为供体,设计了四类供体-受体型共轭低聚物。采用杂化的密度泛函方法(B3L,YP),研究了六类低聚物的电子结构和性质。AIM分析显示,随着聚合度增加,体系共轭程度增强。随着聚合度增加,低聚物的HOMO-LUMO能级差逐渐减小,电离能降低,电子亲和势增大。Py不但是一个强的电子供体,也是一个潜在的氢键供体。在含Py结构单元的低聚物中,由于分子内氢键的存在使这类低聚物具有较大的分子内电荷迁移值。所设计的4种基于TTP的四聚体均具有较小的HOMO-...

• 单位
  重庆三峡学院