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摘要
本发明提供了一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管；包括：自下而上排列的半绝缘衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层；所述铝镓氮势垒层上有源极帽层和漏极帽层,所述源极帽层上表面为源电极,所述漏极帽层的表面为漏电极；所述源电极和漏电极之间,且靠近源电极端设置有栅电极；所述源极帽层和漏极帽层之间设置有高栅,其上表面比底面高出5nm,所述源电极和栅电极间的正下方与氮化镓缓冲层上表面,形成具有凹陷形成的左凹陷区域,所述漏电极和栅电极间的正下方与氮化镓缓冲层上表面形成具有凹陷形成的右凹陷区域。本发明改善器件的跨导饱和区、提高器件的饱和输出功率以及改善器件的直流特性和频率特性。
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