SiC单晶生长炉的压力控制系统设计

作者：周立平

来源：电子质量, 2017, (06): 51-54.

• SiC
• PVT
• 晶体生长
• 压力控制 SiC
• crystal growth
• pressure control

该文通过对SiC单晶生长工艺和设备的研究,重点分析研究了压力对SiC单晶生长的影响,并给出了压力可靠运行参数和方案,满足SiC单晶生长工艺的稳定和实验重复性的要求。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二研究所