晶格匹配InAlN/GaN异质结2DEG迁移率机制研究

作者：任舰^*; 汪照贤; 苏丽娜; 李文佳

来源：淮阴师范学院学报(自然科学版), 2019, 18(04): 317-321.

DOI：10.16119/j.cnki.issn1671-6876.2019.04.008

• 晶格匹配InAlN/GaN
• 2DEG
• 迁移率
• 方块电阻

在晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度(100-525 K)的迁移率,并采用多种散射模型拟合迁移率温度依赖曲线,研究了高低温下InAlN/GaN异质结2DEG的迁移率机制.结果表明,随着温度由100 K逐渐增加至525 K,2DEG迁移率随温度增加而降低,低于200 K时平缓降低,高于200 K时则快速降低.多种散射模型拟合迁移率温度依赖数据表明,产生上述现象的原因是低温下(<200 K),2DEG迁移率主要受界面粗糙散射影响,随着温度升高,极性光学声子散射占主导.

• 单位
  淮阴师范学院