SiO2空心球-GO复合物提高聚酰亚胺复合薄膜的介电及力学性能

作者：葛静; 周宏^*; 张宏达; 涂雪松

来源：绝缘材料, 2022, 55(11): 25-29.

DOI：10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2022.11.004

• 二氧化硅空心球
• 氧化石墨烯
• 聚酰亚胺
• 介电性能
• 力学性能

采用改进的Hummers法制备氧化石墨烯（GO），以γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（KH560）为改性剂制得改性GO(mGO)。采用改进的St?ber法制备二氧化硅空心球（SHS），以3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）为改性剂制得改性SHS(mSHS)。将mGO和mSHS复合制备mSHS-mGO复合物，再以4,4′-二胺基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸二酐（PMDA）为单体，采用原位聚合法制备mSHS-mGO/聚酰亚胺（PI）复合薄膜，研究mSHS-mGO复合物对PI薄膜力学和介电性能的影响。结果表明：5%mSHS-0.3%mGO/PI复合薄膜的介电常数为2.26(105Hz)，相比于纯PI薄膜（3.04,105Hz）降低了26%。3%mSHS-0.3%mGO/PI复合薄膜的拉伸强度和断裂伸长率为86.92 MPa和13.87%，分别比纯PI薄膜（79.00 MPa和9.00%）提高了10%和54%。

• 单位
  哈尔滨理工大学