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摘要
量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向，在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体（metal-oxide-semiconductor, MOS）量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容等优势，在近些年来获得了广泛研究，并取得了较大发展，成为了实现通用量子计算重要的候选方案之一。总结了硅MOS量子点单自旋量子比特实现方案，介绍了硅量子点量子计算的研究背景及意义，叙述目前硅MOS量子点单自旋量子比的研究进展，介绍了MOS量子点器件结构、量子点电荷输运理论、量子比特的读出、量子比特的操作、退相干的影响因素与抑制方法以及扩展与集成等方面的内容，最后讨论了硅MOS量子点自旋量子比特在实现通用量子计算方面面临的挑战与未来发展趋势。
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