科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
准确测量SiC MOSFET开关电压是评估SiC MOSFET开关特性、计算开关损耗、优化变换器设计的关键。随着SiC MOSFET开关速度、耐压以及功率密度的提升，开关电压测量难的问题逐渐凸显，因此对电压传感器的带宽、耐压和侵入性提出了新的要求。该文以SiC MOSFET的开关电压为研究对象，根据目前开关电压的测量需求，提出一种利用电场耦合原理测量开关电压的非接触式电压传感器，并设计混合积分电路对传感器输出信号进行电压重构。在此基础上，通过仿真和计算着重分析了电场耦合电压传感器的结构和电路参数的设计依据。传感器带宽范围为5Hz～260MHz，量程为-1000V～+1000V，输入电容约为0.73pF，最后利用双脉冲测试，将其与商用示波器探头的测量结果进行对比，验证了电场耦合电压传感器的准确性。
- 单位
