适用于底部散热GaN器件的热测量开关损耗电路及方法

作者：于龙洋; 赵胜雷; 汤佳雁; 王中旭; 张进成; 郝跃

来源：2023-08-22, 中国, CN202311062419.5.

本发明提供一种适用于底部散热GaN器件的热测量开关损耗电路及方法,该热测量开关损耗电路中,待测氮化镓器件T-1的漏极和辅助氮化镓器件T-3的漏极连接至电压源V-(DC)的正极,T-1的源极与辅助氮化镓器件T-2的漏极连接,T-3的源极与辅助氮化镓器件T-4的漏极连接,T-2、T-4的源极均连接至电压源V-(DC)的负极,T-1的源极与T-2的漏极之间包括第一节点N-1,T-3的源极与T-4的漏极之间包括第二节点N-2,电感L的两端分别与N-1、N-2连接,电容C-(DC)与电压源V-(DC)并联。对于底部散热的待测氮化镓器件T-1,本发明在利用热测量开关损耗电路测试时选择顶部散热的辅助氮化镓器件：T-2、T-3、T-4,这样PCB板上大部分为T-1的损耗热,提高了待测氮化镓器件T-1的热损耗测量精度。

• 单位
  西安电子科技大学