本发明公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法,包括SiC衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al组分渐变的AlGaN势垒层、Mg掺杂Al组分渐变的AlGaN势垒层、SiN-X钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极,本发明采用Al组分渐变的AlGaN势垒层来替代AlGaN势垒层,降低了Mg扩散的难度,避免了传统P型栅因刻蚀所产生的机械损伤,并提高了器件的栅控能力,有利于实现高阈值电压的GaN增强型功率器件。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
