正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟

作者：张**; 赵少云; 韦文生^*; 郑君鼎; 何明昌

来源：温州大学学报(自然科学版), 2019, 40(04): 36-46.

• (p)SiC/(n)GaN异质结构
• 载流子传导
• 电容-电压特征
• 电流-电压特征
• 模拟

本文利用MATLAB数值模拟了不同晶相(6H、4H、3C)p型掺杂SiC与六方相n型掺杂GaN构成异质结构的正向稳态导电特性.讨论了(p)SiC/(n)GaN异质结构模型,分析了正向偏压、温度对异质结构内载流子分布的影响,考虑了异质结构内载流子复合率随正向偏压的变化,对比了不同温度异质结构的电容-电压特性,探究了异质结构p区及n区不同少子寿命和掺杂浓度、温度等情况下的主要电流成份与正向偏压的关系.模拟数据与文献的实验结果吻合,可指导SiC/GaN异质结构双极晶体管等器件的制造.

• 单位
  温州大学; 电子信息工程学院