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摘要
本实用新型属于LED技术领域,公开了一种图形化Si衬底上非极性紫外LED。图形化Si衬底上非极性紫外LED包括图形化Si衬底以及非极性紫外LED；图形化Si衬底上设有若干凹槽,所述凹槽的纵截面中一侧壁为竖直的侧壁,凹槽的纵截面为倒三角形或倒梯形；所述凹槽的横截面为四边形。本实用新型将Si衬底进行图形化,图形化Si衬底含有Si(111),有利于制备高质量的非极性GaN薄膜,图形化Si衬底上非极性紫外LED具有缺陷密度低、结晶质量好,器件性能好等特点,可广泛应用于LED、LD、太阳能电池等领域。
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