电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜

作者：朱燕艳; 徐润; 陈圣; 方泽波; 薛菲; 樊永良; 蒋最敏

来源：江西科学, 2005, (04): 299-302.

DOI：10.13990/j.issn1001-3679.2005.04.001

• 分子束外延
• Er2O3
• 介质膜

使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。

• 单位
  复旦大学; 应用表面物理国家重点实验室