一种基于硅衬底上二维β-Ga₂O₃的制备方法

作者：苏杰; 常晶晶; 张鹏亮; 林珍华; 郝跃

来源：2020-06-03, 中国, CN202010495981.7.

本发明公开了一种基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法,属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：S1、将硒化镓晶体经过剥离得到二维硒化镓后,转移至预处理的硅衬底上,得到硅衬底上的二维硒化镓；S2、将S2得到硅衬底上的二维硒化镓,在550℃保温5h后,冷却至室温,即得基于硅衬底上二维β-Ga2O3。本发明提供的制备方法中,对硅衬底上的二维硒化镓进行热处理时,可在空气环境中完成,制备过程不需要严格的反应条件,对反应设备要求不高,制备门槛低。

• 单位
  西安电子科技大学