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摘要
本文对比研究了氧化铌和革酸铌掺杂对TiO2压敏陶瓷微观结构和电性能的影响。实验结果显示，两种掺杂对TiO2压敏陶瓷微观结构和电性能的影响规律类似。少量掺杂可促进TiO2陶瓷晶粒长大，使材料相对密度提高。使压敏电压降低，过量掺杂会抑制TiO2陶瓷晶粒长大。使材料相对密度降低。由于草酸铌可溶于水。采用草酸铌掺杂制作样品时Nb元素可较均匀分散，因此掺杂草酸铌最佳掺杂量比氧化铌掺杂量要小得多。实验研究发现，本工作制备的TiO2压敏陶瓷样品与现已广泛使用的环形SrTiO2基压敏电阻材料类似。其电压非线性特性。表观电容量均来源于表面层势垒而非瓷体内部晶界层势垒，即陶瓷样品材料表面与银电极之间以及材料表面几个晶界层形成了电势垒，样品的压敏电压与瓷体厚度无关，陶瓷体内部只相当于导电通路。添加0.9wt％的草酸铌制备的TiO2压敏材料样品的压敏电压U1mA约为14V，非线性系数约4.2，表观电容量122nF(银电极直径约12mm)。
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