掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响

作者：何秋湘; 李京伟; 孙继飞; 白枭龙; 熊震; 陈健

来源：人工晶体学报, 2016, 45(06): 1458-1464.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2016.06.005

• Sn
• 位错
• 少子寿命
• 多晶硅
• 定向凝固

通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响。将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅(UMG-Si)中,定向凝固多晶硅。研究发现,硅锭位错密度沿轴向分布为中间低,底部和顶部高。在晶体硅中掺入Sn后,不影响硅的电学性能,但明显减少硅锭的位错密度。当掺入Sn含量为20 ppmw、50 ppmw和100 ppmw时,硅锭平均少子寿命由未掺Sn硅锭的0.81μs分别增加至1.22μs、1.47μs和1.31μs。掺Sn可减少位错密度和增加少子寿命,归因于替代位的Sn原子引入晶格应力,Sn易捕获空位V形成Sn-V对,抑制间隙原子形核。

• 单位
  光伏科学与技术国家重点实验室; 中国科学院合肥物质科学研究院