铜铟镓铝硒(Cu(InGaAl)Se2)薄膜制备及其光学性能

作者：张宇龙^*; 张维佳; 马强; 蒋昭毅; 鲁超群; 倪聪

来源：稀有金属材料与工程, 2020, 49(06): 2104-2108.

• 铜铟镓铝硒薄膜
• 溶剂热法
• 掺杂元素
• 硒化工艺
• 椭偏光谱测量

采用溶剂热法制备掺铝的铜铟镓硒Cu(InGaAl)Se2(CIGAS)纳米粉末,并直接将此纳米粉末作为蒸镀材料制备铜铟镓铝硒(CIGAS)薄膜,再将其放置在装有高纯硒粉的自制密封法兰内在真空下进行硒化和退火处理,从而得到符合化学计量比的CIGAS薄膜。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对样品结构和成分进行测量,确认CIGAS薄膜样品是黄铜矿结构和铜铟镓铝硒成分。使用椭圆偏振光谱测量技术对CIGAS薄膜进行椭偏光谱测量,进而得出薄膜光学参数如折射率n(λ)、消光系数k(λ)、吸收系数a(l)以及薄膜光能隙Eg,并发现Al元素的掺杂明显增加了薄膜光能隙,并进行了相关物理分析。

• 单位
  北京航空航天大学; 宁夏大学