衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响

作者：何双赐; 钟志成^*; 魏彦锋; 汪竞阳; 张旭明

来源：化工新型材料, 2019, 47(01): 108-111.

• TZO薄膜
• 共溅射
• 衬底温度
• 光电性能

以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析。结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10-3Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm。所有薄膜样品在波长380～780nm区间平均透过率大于91%,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移。

• 单位
  湖北文理学院; 武汉科技大学; 电子工程学院