1.2kV碳化硅MOSFET瞬态可靠性研究

作者：钟炜; 张有润^*; 李坤林; 杨啸; 陈航

来源：微电子学, 2020, 50(05): 766-770.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190681

• 碳化硅MOSFET
• 瞬态可靠性
• 短路
• UIS

随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点。文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征。通过搭建短路和UIS测试通用的测试平台进行实验,对短路和UIS失效机理进行分析。通过对商用器件进行重复性测试,研究器件在两种瞬态可靠性测试下性能退化情况,对器件内部退化机理进行合理的分析。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室