SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻性能的影响

作者：刘建科; 宋帆^*; 张瑞婷; 徐亚宁; 田书凯

来源：硅酸盐学报, 2018, 46(12): 1712-1716.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2018.12.08

• 二氧化硅掺杂
• 氧化锌压敏电阻
• 微观结构
• 电学性能

研究了SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO2掺杂量为3.0%时,压敏电压达到最大,漏电流降到最小(1.1μA/cm2)。当SiO2掺杂量为1.5%时,损耗角正切值达到最小值;当SiO2掺杂量为4.5%时,相对介电常数达到最大值。实验证实通过SiO2掺杂得到了非线性系数高和低损耗的压敏电阻。

• 单位
  陕西科技大学