溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响

作者：高扬; 许绍俊; 谌青青; 孟祥钦; 张彩虹; 文忠; 杨涛; 杨成韬

来源：压电与声光, 2012, (02): 276-278+282.

• AlN薄膜
• 溅射功率
• 结构
• 形貌 AlN thin films
• puttering power
• structure
• morphology

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN(002)择优取向改善明显,120W时达到最佳。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室