<正>作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。然而,以氮化镓为衬底的LED(发光二极管)光的提取效率一直是半导体照明核心器件效率提升的重要技术瓶颈。为解决此问题,依托中国科学院半导体研究所在LED外延材料技术方面的研发力量,扬州中科半导体照明有限公司(以下简称扬州中科)
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