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摘要
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体，因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体，可广泛应用于航空航天、信息通讯、医疗卫生等领域。β-Ga2O3单晶的制备方法主要有焰熔法、直拉法、导模法、浮区法、垂直布里奇曼法、化学气相传输法等。β-Ga2O3在高温下易分解，这增加了制备大尺寸、高质量β-Ga2O3单晶的难度。本文在详细介绍β-Ga2O3单晶的制备方法，并在此基础上分析了各种方法的优缺点，总结了其在功率器件方面的应用，为β-Ga2O3单晶制备技术优化及拓展应用前景提供了一定的参考。
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