磁控溅射工艺对二氧化钒薄膜生长及场致相变性能的影响

作者：何长安; 王庆国^*; 曲兆明; 卢聘; 王妍

来源：功能材料, 2018, 49(12): 12179-12183.

• 二氧化钒薄膜
• 磁控溅射
• 晶体生长
• XRD
• 溅射气压
• 氧气分压
• 场致相变

为揭示VO2薄膜场致相变规律,指导氧化钒工业化规模制造与应用,使用磁控溅射直流溅射工艺在蓝宝石衬底上制备了VO2薄膜。对薄膜进行了XRD及SEM测试,分析了溅射氧分压、溅射温度及溅射压强对晶体组份、晶粒的生长趋势及晶体表面结构的影响规律。对VOx薄膜的场致相变特性进行了测试研究,分析了VOx薄膜的导电开关特性,总结了溅射氧氩比对其临界相变电场区间及电导率变化倍数的影响规律。得出结论,基片温度对成膜速度和晶粒大小及晶粒间隙有很大影响,溅射气压对薄膜表面晶体生长的均匀性影响显著,氧分压是影响薄膜组份的重要因素,氧氩比会影响薄膜的场致相变电导率变化倍数和临界相变电压区间。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学