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摘要
设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的低温漂的低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5μm CMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明,在3.3 V条件下,在-20℃～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6×10-6℃-1和37.8×10-6℃-1。当电源电压为3.3 V时,整个电路的功耗仅为0.17 mW。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
