用于高压ESD保护的双向LDMOS＿SCR结构

作者：孙浩楠; 王军超; 李浩亮^*; 杨潇楠; 张英韬

来源：微电子学, 2022, 52(03): 473-483.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210141

• 静电放电
• 维持电压
• 横向双扩散金属氧化物半导体
• 可控硅结构
• TCAD仿真

基于横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的可控硅结构(LDMOS＿SCR)因其较强的单位面积电流处理能力和出色的高压特性，通常用于高压下的静电防护。通过将原本浮空的漏极N+分割为对称的P+、N+和P+结构，提出了一种基于LDMOS＿SCR的双向防护器件。该器件具有低触发和高维持电压。通过降低形成在栅极区域底部的寄生双极晶体管的发射极注入效率，减少了SCR固有的正反馈增益。基于TCAD进行仿真，实验结果表明，与传统的LDMOS＿DDSCR相比，新型器件的触发电压从69.6 V降到48.5 V,维持电压从14.9 V提高到17 V,证明了提出的结构与传统LDMOS＿DDSCR器件相比具有出色的抗闩锁能力。