40 nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析

作者：何宝平; 马武英; 王祖军; 姚志斌; 缑石龙

来源：现代应用物理, 2022, 13(01): 184-189.

• 电离总剂量效应
• 沟道热载流子效应
• 浅槽隔离
• 超薄栅氧化层

通过理论模拟和辐照试验，对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose, TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier, CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明，CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产生影响，而在综合作用下是否相关依赖于二者的先后试验顺序。器件在先TID效应后CHC效应的综合作用下，损伤程度要大于CHC效应单独作用的结果，2种效应具有相关性；器件在先CHC效应后TID效应的综合作用下，损伤程度小于TID效应和CHC效应单独作用的结果，2种效应没有相关性。

• 单位
  西北核技术研究所