基于硅通孔(TSV)技术，提出了应用于三维集成电路的三维螺旋电感。在实际应用中，TSV电感存在电场、温度场和力场之间的相互耦合，最终会影响TSV电感的实际电学性能。考虑P型和N型两种硅衬底材料，采用COMSOL仿真软件，对TSV电感进行多物理场耦合研究。结果表明，在P型硅衬底情况下，多物理场耦合的影响更大，TSV电感的电感值和品质因数的变化率可达14.13%和5.91%。
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