低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用

作者：张婷婷; 顾小兵; 杨培志^*; 熊楠菲; 李凤; 张芹^*; 李清华

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17(03): 519-523.

• 氧化钼
• 低温溶液法
• 量子点
• 纳米颗粒
• 发光二极管

空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用。使用低温溶液法制作了Mo Ox纳米颗粒,将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作。实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳:器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6%,在偏压为10V时,器件的最高亮度达到27 100 cd/m2。

• 单位
  江西省光电检测技术工程实验室; 南昌航空大学; 云南师范大学