节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析

作者：王颖; 章岳光; 刘旭; 陈为兰; 厉以宇

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (11): 6588-6591.

DOI：10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.071

• 多层介质薄膜
• 中红外
• 节瘤缺陷
• 高斯光 multilayer coating
• mid-infrared
• nodular defect
• Gaussian laser

运用时域有限差分(FDTD)方法建立了薄膜中节瘤缺陷在高斯激光照射下电磁场响应模型,分析了节瘤的深度、起始颗粒大小和入射光角度对薄膜中电磁场的影响。结果表明:节瘤缺馅对薄膜中电场强度有显著的加强作用,其内部峰值场强是入射光的6倍,大而浅节瘤缺陷对倾斜入射p偏振态的激光具有最高的加强效应.

• 单位
  浙江大学; 现代光学仪器国家重点实验室