本文介绍了一种现有的有机场效应晶体管(OFET)及其制备方法。采用参数分析仪对该方法制备的OFET进行了特性分析,得到其输出特性曲线。根据测量得到的输出特性曲线,验证了OFET的输出特性曲线满足P型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)输出特性曲线特点。进而利用已知的MOSFET的数学模型对OFET进行近似数学建模。通过对该电路的仿真并将得到的输出特性曲线与实测曲线进行对比,对仿真电路进行一定的修改。最终证明仿真电路基本满足实际OFET的性能指标,实现对OFET的SPICE建模。