轴向磁场下多晶硅定向凝固研究

作者：刘志辉; 罗玉峰; 饶森林; 胡云; 张发云; 龚洪勇; 刘杰

来源：热加工工艺, 2018, 47(01): 88-91+95.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.2018.01.021

• 多晶硅
• 定向凝固
• 数值模拟
• 轴向磁场
• 熔体对流

利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。

• 单位
  华东交通大学; 新余学院; 南昌大学机电工程学院; 江西省高等学校硅材料重点实验室