薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置

作者：袁广才; 闫梁臣; 徐晓光; 王磊; 彭俊彪; 兰林锋

来源：2015-07-09, 中国, CN201510400941.9.

本发明公开了一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置,由于栅极绝缘层是通过对栅电极初始层的表面进行氧化处理形成的,因此与现有技术中通过PECVD的方法形成二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)材料的绝缘层相比,可以避免采用PECVD设备,从而可以降低生产成本；并且由于栅极绝缘层是通过对栅电极初始层的表面进行氧化处理形成的,因此可以在常温的环境下进行,从而有利于柔性衬底基板的使用。

• 单位
  华南理工大学; 京东方科技集团股份有限公司