BaTiO_3铁电薄膜在硅基片上的取向生长

作者：魏贤华; 黄文; 接文静; 朱俊

来源：硅酸盐学报, 2007, (05): 583-587.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2007.05.011

• 钛酸钡
• 铁电薄膜
• 缓冲层
• 取向生长
• 激光沉积 barium titanate
• ferroelectric films
• buffer layer
• oriented growth
• laser deposition

采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。通过原位反射高能电子衍射来监测 MgO,CeO2 缓冲层在硅基片上的生长行为。用 X 射线衍射测定 BTO 薄膜的结晶取向。并利用压电响应力显微镜观察了铁电薄膜的自发极化形成的铁电畴。结果表明:BTO 薄膜在不同的缓冲层硅基片上以不同的取向生长,在织构的 MgO/Si(001)基片上为(001)择优,择优程度与 MgO 织构品质有关,其中在双轴织构 MgO 缓冲层上为(001)单一取向;在 CeO2(111)缓冲层上为(011)单一取向。(001)取向的 BTO 薄膜具有更大的面外极化...

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 西南科技大学; 材料科学与工程学院